Vous êtes ici : AccueilPôles de compétencesAnalyse Physico-chimiquesMicrosystèmes Capteurs Chimiques (MS2C)
- Version PDF
-
Traductions
Microsystèmes Capteurs Chimiques (MS2C)
Présentation
Avec ces équipements nous disposons de moyens pour permettre à des équipes de recherche :
- pouvoir étudier les caractéristiques électriques leurs matériaux ou structures sensibles,
- faire des contacts par couches minces et faciliter ainsi la caractérisation,
- tester ces structures si une application capteur est envisagée.
Nos offres de service
- Prestations de service (caractérisations électriques [I(V)]; [C(V)]; EFFET HALL) pour: les Labos UCA et non-UCA, les industriels et le privé
- Rédaction de rapport
- Etude de faisabilité
Moyens technologiques / installations / équipements
- Centrale de réalisation de couches minces
- Unité de caractérisations électriques : courant-tension [I(V)]; capacité-tension [C(V)]
- Bancs de caractérisation électriques sous atmosphère contrôlée
- Unité de caractérisation par EFFET HALL.
Exemples de réalisations
Caractérisation Courant-Tension [I(V)] et Capacitance-Tension[C(V)], Caractérisation de structure ohmique et Schottky.
Caractérisation courant-tension (I-V) d’une diode Schottky en direct (bleu) et inverse (rouge). De cette courbe on extrait les paramètres comme : la barrière de potentiel, le facteur d’idéalité, le courant de fuite etc.
Optimisation des caractéristiques inverse avec le temps de recuit et la température.
Caractérisation courant-tension d’une structure à base de nanotube de carbone en fonction de la température.
Détermination de la hauteur de barrière et de dopage par mesures C-V.
Caractérisation courant-tension (I-V) d’une diode Schottky en direct (bleu) et inverse (rouge). De cette courbe on extrait les paramètres comme : la barrière de potentiel, le facteur d’idéalité, le courant de fuite etc.
Optimisation des caractéristiques inverse avec le temps de recuit et la température.
Caractérisation courant-tension d’une structure à base de nanotube de carbone en fonction de la température.
Détermination de la hauteur de barrière et de dopage par mesures C-V.
Offres de formation
Formations: doctorants et permanents, intervenants extérieurs (Labos UCA) ; Visites Etudiants et Lycéens
Partenariat
Industrie, Privé, laboratoires universitaires.
Contacts
Responsables Scientifiques
Accès au service
Institut Pascal (site UFR), Axe PHOTON/Groupe MINAMAT/équipe Systèmes & Microsystèmes Capteurs Chimique (2éme étage, bâtiment 3).
Le laboratoire étant en ZRR (Zone à régime restrictif), merci de renseigner à l’avance (au moins 2 jours avant) votre arrivée pour faire valider l’autorisation de présence dans la zone.
Le laboratoire étant en ZRR (Zone à régime restrictif), merci de renseigner à l’avance (au moins 2 jours avant) votre arrivée pour faire valider l’autorisation de présence dans la zone.
Adresse postale
Institut Pascal, UMR 6602 UCA/ CNRS/SIGMA,
Campus Universitaire des Cézeaux
4 Avenue Blaise Pascal
TSA 60026 - CS 60026 - 63178
AUBIERE CEDEX
Campus Universitaire des Cézeaux
4 Avenue Blaise Pascal
TSA 60026 - CS 60026 - 63178
AUBIERE CEDEX
Dans la même rubrique
- Matériaux de structure - Traitement de surface
- Technologies pour l'Environnement et Géomatique
- Microscopie - Imagerie
- Véhicules intelligents - Onde - Communication
- Technologies - Biologie - Santé
-
Analyse Physico-chimiques
- Analyses de Surfaces par Spectroscopies d’Electrons (ESCA)
- Diffraction des Rayons X
- Irradiation d’échantillons biologiques (PAVIRMA)
- Microsystèmes Capteurs Chimiques (MS2C)
- Plateforme Activité et Criblage Enzymatique (PACE)
- Plateforme d'analyses multi-élémentaires par ICP-OES et analyseur CHNS
- Résonance Magnétique Nucléaire
- Résonance Paramagnétique Electronique
- Spectrométrie de Masse
- Spectroscopies Optiques
- Spectroscopies Vibrationnelles
- Tomographie à rayons X
- Sciences Humaines et Sociales